Półprzewodniki mają trzy główne cechy:
1. Charakterystyka wrażliwości termicznej
Rezystywność półprzewodników zmienia się znacząco wraz z temperaturą. Na przykład w przypadku czystego germanu na każde 10 stopni wzrostu wilgotności jego oporność elektryczna spada do 1/2 pierwotnej wartości. Subtelne zmiany temperatury mogą znaleźć odzwierciedlenie w znaczących zmianach rezystywności półprzewodników. Wykorzystując czułość termiczną półprzewodników, można wykonać elementy wykrywające temperaturę – termistory – do stosowania w systemach pomiaru i kontroli temperatury.
Warto zauważyć, że różne urządzenia półprzewodnikowe mają wrażliwość termiczną, co wpływa na ich stabilność przy zmianie temperatury otoczenia.
2. Właściwości światłoczułe
Rezystywność półprzewodników jest bardzo wrażliwa na zmiany światła. Gdy jest oświetlony, oporność elektryczna jest bardzo niska; Gdy nie ma światła, oporność elektryczna jest wysoka. Na przykład powszechnie stosowany fotorezystor z siarczku kadmu ma rezystancję kilkudziesięciu megaomów przy braku światła i wystawieniu na działanie światła. Opór nagle spadł do dziesiątek tysięcy omów, a wartość rezystancji zmieniła się tysiące razy. Wykorzystując światłoczułe właściwości półprzewodników, produkuje się różnego rodzaju urządzenia optoelektroniczne, takie jak fotodiody, fototranzystory i fotokomórki krzemowe. Szeroko stosowane w automatyce i technologii radiowej.
3. Charakterystyka dopingowa
W czystych półprzewodnikach domieszkowanie bardzo małych ilości pierwiastków domieszkujących może spowodować znaczną zmianę ich rezystywności elektrycznej. Na przykład. Doping w czystym krzemie. Rezystywność pierwiastka boru, która jest mniejsza niż 214000 Ω·cm, zmniejszy się do 0,4 Ω·cm, co oznacza, że przewodność krzemu wzrośnie ponad 500000 razy. Ludzie precyzyjnie kontrolują przewodność półprzewodników poprzez domieszkowanie określonych pierwiastków zanieczyszczeń i wytwarzają różne typy urządzeń półprzewodnikowych. Można bez przesady stwierdzić, że niemal wszystkie urządzenia półprzewodnikowe wykonane są z materiałów półprzewodnikowych domieszkowanych określonymi zanieczyszczeniami.
