Co to jest półprzewodnik

Wszystkie materiały posiadające powyższe dwie cechy można zaliczyć do materiałów półprzewodnikowych. To, co odzwierciedla wewnętrzne podstawowe właściwości półprzewodników, to efekty i zjawiska fizyczne powodowane przez różne czynniki zewnętrzne, takie jak światło, ciepło, magnetyzm, elektryczność itp. działające na półprzewodniki, które można zbiorczo określić jako właściwości półprzewodnikowe materiałów półprzewodnikowych. Większość materiałów podstawowych półprzewodnikowych urządzeń elektronicznych to półprzewodniki. To różne właściwości półprzewodników tych materiałów półprzewodnikowych nadają różnym typom urządzeń półprzewodnikowych różne funkcje i właściwości. Podstawową cechą chemiczną półprzewodników jest istnienie nasyconych wiązań kowalencyjnych pomiędzy atomami. Typową cechą wiązania kowalencyjnego jest czworościenność struktury sieciowej, dlatego typowe materiały półprzewodnikowe mają strukturę diamentu lub mieszanki cynku (ZnS). Ponieważ większość zasobów mineralnych Ziemi to związki, materiałami półprzewodnikowymi, które zostały użyte po raz pierwszy, są związki. Na przykład galena (PBS) była używana dawno temu do detekcji radiowej, tlenek miedziawy (Cu2O) był używany jako prostownik stały, sfaleryt (ZnS) jest dobrze znanym stałym materiałem luminescencyjnym, a funkcję rektyfikacji i detekcji węglika krzemu ( SIC) był również używany wcześnie. Selen (SE) to pierwszy odkryty i wykorzystany element półprzewodnikowy, który niegdyś był ważnym materiałem do prostowników półprzewodnikowych i fotokomórek. Odkrycie elementu półprzewodnikowego wzmacniającego german (GE) otworzyło nową kartę w historii półprzewodników, od której urządzenia elektroniczne zaczęły realizować tranzystoryzację. Badania i produkcja półprzewodników w Chinach rozpoczęły się w 1957 r. od pierwszego przygotowania germanu o wysokiej czystości (99,999999% - 99,999999%). Zastosowanie elementarnego krzemu półprzewodnikowego (SI) nie tylko zwiększa liczbę i różnorodność tranzystorów oraz poprawia ich wydajność , ale także zapoczątkowuje erę układów scalonych o dużej i bardzo dużej skali. Odkrycie ⅲ - ⅴ związków reprezentowanych przez arsenek galu (GaAs) przyczyniło się do szybkiego rozwoju urządzeń mikrofalowych i urządzeń optoelektronicznych.