MT40A512M16TB-062E: R to szybka dynamiczna pamięć o dostępie losowym, która jest konfigurowana wewnętrznie jako 8 zestawów DRAM w konfiguracji X16 i 16 zestawów DRAM w konfiguracji X4 i X8. DDR4 SDRAM używa architektury odświeżania 8N do osiągnięcia szybkiego działania. Architektura preferowania 8N jest połączona z interfejsem zaprojektowanym do przesyłania dwóch danych danych na cykl zegara na pinach we/wy.
MT29F4G08ABBDAH4-IT: D Urządzenie Flash Micron NAND zawiera asynchroniczny interfejs danych dla operacji I/O o wysokiej wydajności. Urządzenia te używają wysoce multipleksowanej 8-bitowej magistrali (I/Ox) do przesyłania poleceń, adresów i danych.
MT25QL256ABA8E12-0AAT Serial lub pamięć flash ma niską liczbę pinów, jest prosta i łatwa w użyciu, i jest prostym rozwiązaniem odpowiedniego do kodowania aplikacji cienia; Może zaspokoić potrzeby elektroniki konsumpcyjnej, przemysłu, komunikacji przewodowej i aplikacji obliczeniowych. To urządzenie przyjmuje standardowe opakowanie w branży, alokacja PIN, zestaw poleceń i kompatybilność chipsetów, co ułatwia przyjęcie w różnych projektach. Może to zaoszczędzić cenny czas rozwoju, zapewniając jednocześnie kompatybilność z istniejącymi i przyszłymi projektami. Produkt specyfikacji:
MT40A2G8SA-062E: F może przyspieszyć czas uruchamiania produktu i zapewnić wysokiej jakości roztwory modułu DRAM, których niezawodność została rygorystycznie przetestowana.
BCM87400A1KRFBG przyjmuje wiodącą platformę technologii PHY PHY PHY Broadcom i jest pierwszym w branży 400 g transceiver PHY PHY z wykorzystaniem technologii NM CMOS.
Xczu67DR-L2FFVE1156I należy do serii Zynq-7000 XILINX, która jest wysokiej wydajności programowalnych układów systemowych (SOC), które integrują procesory ARM i FPGA (Prolest Programmumm Bramy macierzy bramy), odpowiednie dla różnych aplikacji o wysokiej wydajności i wysokiej złożoności.
